上升/下降時(shí)間(典型值)
150ns,50ns
包裝
卷帶(TR),剪切帶(CT)
工作溫度
-40°C ~ 150°C(TJ)
柵極類型
IGBT,N 溝道 MOSFET
電壓-供電
10V ~ 20V
電流-峰值輸出(灌入,拉出)
200mA,350mA
系列
-
輸入類型
非反相
通道類型
獨(dú)立式
邏輯電壓?-VIL,VIH
0.8V,2.9V
驅(qū)動(dòng)器數(shù)
2
驅(qū)動(dòng)配置
半橋
高壓側(cè)電壓-最大值(自舉)
600 V
封裝/外殼
8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
產(chǎn)地
日本
倉(cāng)庫(kù)
深圳/香港
品質(zhì)
原裝正品
安裝類型
表面貼裝型
零件狀態(tài)
在售









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