采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、159mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25480F3
圖片僅供參考,商品以實物為準
描述:
采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、159mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
購買數(shù)量:
單價:¥0.48
合計:¥{{price}}

聯(lián)系方式
產(chǎn)品參數(shù)
0 mm2: .6 x .69 (PICOSTAR|3)
數(shù)據(jù)手冊
CSD25480F3(MOSFET)由德州儀器(TI)設計生產(chǎn), IC全球購電子元器件購買網(wǎng)站提供足量庫存33464,價格參考“實時變動” 香港/深圳倉庫。 CSD25480F3 封裝/規(guī)格, 可以下載CSD25480F3中文資料、引腳圖、Datasheet數(shù)據(jù)手冊功能說明書PDF,資料中有 PCB空板 詳細引腳圖及功能的應用電路圖電壓和使用方法及教程。