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首頁/ 商品目錄/ MOSFET/ FDN352AP

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圖片僅供參考，商品以實物為準

品牌:

安森美(ON)

型號:

FDN352AP

描述:

MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3

庫存:

9073

貨源類別:

現(xiàn)貨庫存

倉庫:

大陸/香港

因市場行情波動，實際價格請咨詢在線客服

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聯(lián)系方式

座機：0755-82988826

手機：19166225496(微信同號)

Q Q：3469113929

郵箱：3469113929@qq.com

產(chǎn)品參數(shù)

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)

1.3A（Ta）

FET功能

FET類型

P 通道

Vgs（最大值）

±25V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）

180 毫歐 @ 1.3A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）

150 pF @ 15 V

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）

1.9 nC @ 4.5 V

功率耗散（最大值）

500mW（Ta）

包裝

卷帶（TR）,剪切帶（CT）,散裝

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

技術

MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）

30 V

系列

PowerTrench?

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）

4.5V，10V

封裝/外殼

SOT-23-3

產(chǎn)地

美國

倉庫

深圳/香港

品質

原裝正品

安裝類型

表面貼裝型

零件狀態(tài)

在售

數(shù)據(jù)手冊

下載

FDN352AP（MOSFET）由安森美(ON)設計生產(chǎn), IC全球購電子元器件購買網(wǎng)站提供足量庫存9073,價格參考“實時變動” 香港/深圳倉庫。 FDN352AP 封裝/規(guī)格, 可以下載FDN352AP中文資料、引腳圖、Datasheet數(shù)據(jù)手冊功能說明書PDF，資料中有 PCB空板詳細引腳圖及功能的應用電路圖電壓和使用方法及教程。