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7月27日消息，美光宣布推出業(yè)界首款8層24GB HBM3 Gen2內(nèi)存芯片。
據(jù)了解，這款內(nèi)存芯片總帶寬超過1.2TB/s，引腳速度超過9.2Gb/s，比HBM3提高50%。
美光表示，HBM3 Gen2產(chǎn)品的每瓦性能是前幾代產(chǎn)品的2.5倍，為人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心的性能、容量和功率效率等關(guān)鍵指標(biāo)創(chuàng)造了新的記錄，可以減少GPT-4等大型語言模型的訓(xùn)練時(shí)間，并提供了卓越的總擁有成本（TCO）。
HBM3 Gen2的解決方案的基礎(chǔ)是1β（1-beta）工藝，在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸內(nèi)將24GB DRAM芯片組成了8層垂直堆疊的立方體。
此外，美光還在準(zhǔn)備12層垂直堆疊的單品36GB DRAM芯片，與現(xiàn)有的競爭解決方案相比，在給定的堆棧高度下，美光提供的容量增加了50%。
根據(jù)美光公布的最新技術(shù)路線圖，2026年的“HBMNext”將進(jìn)一步提高容量，可達(dá)到36GB至64GB，帶寬也會(huì)提升至超過1.5TB/s至2+TB/s。
另外，美光明年將會(huì)帶來GDDR7，容量為16Gb至24Gb，每個(gè)數(shù)據(jù)I/O接口的速率為32Gbps，與三星近期推出的首款GDDR7基本一致。
來源：快科技
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