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臺灣省積體電路制造股份有限公司（以下簡稱“臺積電”），擁有全球領(lǐng)先的制程技術(shù)與專業(yè)晶圓代工優(yōu)勢，產(chǎn)業(yè)龍頭地位仍難以撼動，后頭三星、英特爾虎視眈眈，除持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)、沖刺先進(jìn)制程技術(shù)外，也積極透過并購、與競爭同業(yè)合作、搶設(shè)備等各種策略，追趕臺積電。
三星、英特爾頻出招追趕臺積電
三星近來動作頻頻，5月下旬宣布未來5年資本支出達(dá)3600億美元，鎖定半導(dǎo)體、生醫(yī)與通訊等領(lǐng)域，雖然并未透露各事業(yè)資本支出投資比重等細(xì)節(jié)，但業(yè)界認(rèn)為，三星將集中投資半導(dǎo)體領(lǐng)域，初估未來5年半導(dǎo)體投資規(guī)模將超過千億美元。
除大舉投資外，為爭搶EUV光刻機(jī)設(shè)備，三星集團(tuán)副會長李在镕近期傳預(yù)計下周前往荷蘭，造訪半導(dǎo)體設(shè)備大廠阿斯麥爾 (ASML)，目標(biāo)為取得最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備。
此外，三星4月時傳出成立特別工作小組，由副會長韓正熙直接管理，小組成員包括計劃與戰(zhàn)略部門、各部門約10名高層與員工，要藉此加快并購行動；而此次李在镕赴荷蘭，外界也預(yù)期，李在镕將探詢并購機(jī)會，以加速半導(dǎo)體事業(yè)成長。
英特爾動作同樣積極，體現(xiàn)“敵人的敵人是朋友”的商場戰(zhàn)略，執(zhí)行長季辛格上周赴韓國會面李在镕，雙方將就下世代內(nèi)存芯片、系統(tǒng)芯片、晶圓代工、PC 與行動裝置等多領(lǐng)域，展開合作。
此次英特爾與三星會面，又以晶圓代工最受關(guān)注，業(yè)界認(rèn)為，英特爾有意分散依賴臺積電的風(fēng)險，尋求更多三星晶圓代工產(chǎn)能支持；另一方面，也傳出雙方會中可能討論共同投資硅智財大廠安謀ARM（英國ARM公司是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體知識產(chǎn)權(quán)（IP）提供商），再為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投下震撼彈。
英特爾除購并高塔半導(dǎo)體外，也宣布將釋出自身開發(fā)的IP供客戶使用，同時積極擴(kuò)增生態(tài)系成員，并透過旗下創(chuàng)投基金，將具潛力或優(yōu)秀的新創(chuàng)企業(yè)納入生態(tài)系，要藉此壯大、進(jìn)一步加速晶圓代工事業(yè)發(fā)展。
三星晶圓代工高層大洗牌與臺積電較勁
而據(jù)韓媒報道，三星電子已撤換負(fù)責(zé)開發(fā)下一代芯片的半導(dǎo)體研發(fā)中心負(fù)責(zé)人，晶圓代工業(yè)務(wù)高層也遭洗牌，由記憶體專家?guī)ьI(lǐng)晶圓代工事業(yè)核心部門；業(yè)界認(rèn)為，三星先進(jìn)制程屢傳良率不佳，在即將搶先量產(chǎn)3納米之際，大刀闊斧進(jìn)行高層大搬風(fēng)，是為加速提升先進(jìn)制程良率，以與臺積電(2330-TW)(TSM-US)比拚。
三星晶圓代工高層大洗牌
外媒指出，三星電子已任命副總裁兼Flash（“flash”也稱“閃存”是存儲芯片的一種，通過特定的程序可以修改里面的數(shù)據(jù)）開發(fā)部門負(fù)責(zé)人宋在赫為半導(dǎo)體研發(fā)中心的新負(fù)責(zé)人。
代工業(yè)務(wù)方面，指派半導(dǎo)體設(shè)備解決方案部門的全球制造與基礎(chǔ)設(shè)施副總裁 南錫宇，兼任晶圓代工制造技術(shù)中心負(fù)責(zé)人，兩人都是三星內(nèi)存制程技術(shù)發(fā)展相關(guān)專家。同時也任命內(nèi)存制造技術(shù)中心副總裁金鴻植，帶領(lǐng)晶圓代工技術(shù)創(chuàng)新團(tuán)隊。
三星去年底宣布高層人事大搬風(fēng)，全面撤換半導(dǎo)體、手機(jī)、消費電子三大事業(yè)主管，并將手機(jī)及消費電子事業(yè)合并，將經(jīng)營重心轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體，時隔半年，再將內(nèi)存業(yè)務(wù)大將部署至晶圓代工事業(yè)，積極推進(jìn)晶圓代工事業(yè)發(fā)展。
三星預(yù)計最快今年6月量產(chǎn)3納米制程，超車下半年量產(chǎn)的臺積電，不過，三星先進(jìn)制程良率一直是外界關(guān)注焦點，先前有外媒透露，由于其3納米專利IP數(shù)量不足，導(dǎo)致良率僅10-20%，即便4納米制程良率達(dá)35%，但仍遠(yuǎn)不及臺積電的7成。
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